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技术创新带来产业革命 IVB创造PC新方向

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  【IT168 评论】近年来随着晶体管标称尺寸不断缩小,引领集成电路发展的摩尔定律收到了巨大的威胁,但英特尔凭借强大的研发实力,硬是将摩尔定律延续下来,在2012推出新一代酷睿处理器——Ivy Bridge,让我们进入22nm时代。

技术创新带来产业革命 IVB创造PC新方向
▲英特尔处理器制程发展

  当然Ivy Bridge不仅是第一款量产的采用22nm制造工艺的CPU,而且它也全球先进款3D晶体管处理器。对于Ivy Bridge来说,22nm和3D晶体管技术是一个有机的整体,它不仅将摩尔定律得以延续,而且也让英特尔在整个芯片制造产业中处于远远领先的地位。

  自1947年晶体管问世以来,晶体管技术飞速发展,1971年全球先进个微处理器4004有英特尔公司推出,它采用MOS工艺,片内集成2250个晶体管,晶体管之间的间距是10微米(也就是10000nm)。

  在经过了30年的发展以后,到了2011年我们已进入32nm时代,英特尔32nm Sandy Bridge处理器集成11.6亿个晶体管,是4004的五万多倍,其性能更是天壤之别,但在晶体管的基本结构上,并没有革命性的改变。

技术创新带来产业革命 IVB创造PC新方向
▲屏幕晶体管与3D晶体管结构对比

  众所周知,在集成电路中使用最为广泛的晶体管为CMOS,它具有源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)三极,其基本的结构是上图中左侧所示,晶体管的沟道位于栅极下方,沟道为平面2D结构,平行于硅衬底。

  而3D晶体管又称3D Tri-Gate,它是在原有晶体管结构上的一次巨大改变,它沟道的位置位于垂直于硅衬底的鳍(Fin)中,沟道所在位置的鳍周围被三个栅极(Gate)从三个方向所包围。这样的设计可更好的控制晶体管的开关、最大程度有效利用晶体管开启状态时的电流(实现非常好的性能),在关闭状态时最大程度减少电流(降低漏电)。再加上22nm制造工艺,采用22nm 3D晶体管的Ivy Bridge处理器比上代SNB处理器拥有更高的性能和更低的功耗。

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▲3D晶体管

  其实英特尔早在2002年就已经宣布了3D晶体管技术,在经过了十年的研发,直到今日方才成熟,携22nm工艺一同亮相Ivy Bridge。它不仅让我们的电脑拥有强劲的性能和更加丰富的功能,同时也为半导体芯片制造注入了新生力量,是晶体管发展的又一里程碑,是整个PC产业发展的原动力。

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http://benyouhui.it168.com/thread-2059372-1-1.html ,活动图片如下

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